橢圓偏光儀基本上是利用反射光相對(duì)于入射光偏極態(tài)的轉(zhuǎn)變，以反推介質(zhì)的光學(xué)特性。

為了測(cè)量變化中的材料，如電漿蝕刻薄膜、真空鍍膜過(guò)程的沉積速率和厚度、加溫中的晶體以及高分子的感光過(guò)程，

 

對(duì)橢圓偏光儀測(cè)量速度的改進(jìn)已成為近年來(lái)業(yè)界研究的主要目標(biāo)。

 

簡(jiǎn)式到線(xiàn)上即時(shí)監(jiān)控的橢圓偏光儀的研究已有十多年。從將補(bǔ)波片換成光彈調(diào)變器，

我們將快速資料擷取卡裝置在系統(tǒng)中。最近所提出的記錄后分析法，已可在20 µs測(cè)量一組橢圓偏光參數(shù)。

 

 

本文提出一雷射反射光彩像結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)探針式粗糙度量測(cè)方法，以已知波長(zhǎng)之He-Ne雷射光爲(wèi)光源，預(yù)估其反射影像線(xiàn)寬與粗糙度(R(下標(biāo) a))之關(guān)系。量測(cè)系統(tǒng)建立在材料、入射角、波長(zhǎng)及檢測(cè)距離等參數(shù)設(shè)定下，可獲得一簡(jiǎn)單量測(cè)執(zhí)行模式。此執(zhí)行模式經(jīng)由多次實(shí)驗(yàn)值顯示均可供生產(chǎn)線(xiàn)上之相同材料粗度檢驗(yàn)，其R(下標(biāo) a)值量測(cè)不準(zhǔn)確度在0.034μm以?xún)?nèi)。